檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "SiC".ekeyword (精準) and year="112"
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SiC MOSFET於導通及截止間切換時引起振盪的原因之一,在於閘極所存在的寄生元件,為了減去閘極路徑的寄生元件所造成的影響,提出一個可編程並具有回授功能的閘極驅動器。藉由驅動器的回授端點與SiC …
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碳化矽是製造高功率半導體元件之重要的寬能隙(WBG)半導體材料,然而在晶圓的製造與加工過程當中,容易使晶圓產生缺陷進而影響製成元件之性能,對於碳化矽或矽晶圓質量有負面的影響,因此需要晶圓檢測找出並定…